Y5V电容器是具有一定温度限制的通用电容器。在—30℃～+85℃范围内，其容量变化范围为+22%～—82%，介电损耗可达5%。然而，Y5V的高介电常数允许在更小的物理尺寸中制造高达4.7μF的电容器。但其电容受环境和工作条件影响较大，介质损耗可达3%。其填充介质由铷、钐等稀有氧化物组成。X7R电容器被称为温度稳定陶瓷电容器。X7R电容器主要用于要求较低的工业应用中，当电压变化时，其电容量的变化是可以接受的。
        Y5V电容器是具有一定温度限制的通用电容器。在—30℃～+85℃范围内，其容量变化范围为+22%～—82%，介电损耗可达5%。然而，Y5V的高介电常数允许在更小的物理尺寸中制造高达4.7μF的电容器。
        Z5u电容器被称为通用陶瓷贴片电容器。其主要优点是体积小、成本低。在上述三种片式电容器中，在相同体积下，Z5u电容器的电容量最大。但其电容受环境和工作条件影响较大，介质损耗可达3%。管它的容量不稳定，但其体积小、等效串联电感和等效串联电阻低、频率响应好等独特优点使它得到了广泛的应用，特别是在去耦电路中。其中，NPO电容器是电容和介损最稳定的。其填充介质由铷、钐等稀有氧化物组成。温度在—55℃～+125℃范围内，电容变化为0±30ppm/℃，且电容随频率和相对使用寿命的变化很小。在不同的封装形式下，电容和介质损耗随频率变化的特性也不同。大封装尺寸NPO电容器的频率特性优于小封装尺寸NPO电容器。适用于振荡器和谐振器中的槽缝电容，也适用于高频电路中的耦合电容。X7R电容器被称为温度稳定陶瓷电容器。当温度为—55℃至+125℃时，容量变化为15%。需要注意的是，此时的电容变化是非线性的。在不同的电压和频率条件下，X7R电容器具有不同的容量。它也随时间而变化，但比Z5u和Y5V电容器要好得多。X7R电容器主要用于要求较低的工业应用中，当电压变化时，其电容量的变化是可以接受的。其主要特点是在相同体积下，电容可以比较大。

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