晶体二极管是一种由P型和N型半导体形成的pn结构成的单向导电二端元件。界面两侧形成空间电荷层，产生自建电场。它现在的方向性就是我们通常所说的修正。

无外加电压时，自建电场引起的漂移电流等于pn结两侧载流子浓度差引起的扩散电流，达到电平衡。当施加DC偏压时，自建电场和外加电场的相互抑制增加了载流子扩散电流，产生正向电流。当外加反向偏压时，自建电场和外加电场变强，在一定电压范围内形成与反向偏压值无关的反向饱和电流。当反向电压达到一定水平时，pn结空间电荷层中的电场强度会达到一个临界值，载流子倍增和大量电子空穴对的产生会产生较大的反向电压值。定向击穿电流，也就是通常所说的二极管击穿现象。

根据这种反向击穿原理，可以分为雪崩击穿和齐纳击穿。当反向电压增大到较大值时，外加电场增加了电子的漂移速度，使其与共价键中的价电子发生碰撞。价电子脱离共价键，产生新的电子。空穴对被电场加速并与其他价电子碰撞。此时载流子的雪崩增加，导致电流急剧增加。这种击穿现象称为雪崩击穿。

在高掺杂浓度条件下，由于反向电压大，势垒区宽度小，破坏了势垒区的共价键结构，导致价电子和电子分离—空穴对的产生导致电流急剧增加。增加，这种击穿现象称为齐纳击穿。如果掺杂浓度低，势垒区的宽度宽，并且不太可能发生齐纳击穿。无论何种击穿类型，如果不限制电流，PN结都可能永久损坏。

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