电解电容的参数指标

铝电解泄漏电流的测试方法和条件是指在25℃时，将电容器的一个1000欧姆的保护电阻接在额定电压上测量泄漏电流，施加电压5min后，泄漏电流不...

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电解电容的结构多样化

在结构上，铝电解电容器的结构已经多样化，除上述液态铝电解电容器外，还有固态铝电解电容器。铝电解电容器主要有两种结构形式，一种是铝箔...

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电解电容的极性与结构工艺

电解电容器的极性，注意电解电容的一侧是负极，"+"是正极，如果电解电容器没有标记正极，也可以用其引脚的长度来判断，长脚是正极，短脚是负...

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电解电容的电解质与金属箔

对于低压箔，不要求立方结构在结构中占很大 比例，但对于高压箔，要求这种结构占0.8至0.9以上。为了提高其比容，需要晶粒取向和杂质含量不规...

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电解电容的结构与应用

电解电容器通常以金属箔为正极，金属箔绝缘氧化层为介质。铝电解的负极由浸在电解液中的薄纸/薄膜或电解质聚合物组成。钽电解电容器的负极通...

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容量较大的电解电容

金属箔是正极（铝或钽），靠近正极的氧化膜是电介质。阴极由导电材料、电解液和其他材料组成。由于电解液是阴极的主要组成部分，电解电容器...

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摩尔定律与半导体器件的发展

摩尔定律的诞生是半导体技术史上的一个里程碑，它已成为信息技术发展的灯塔。计算机已成为大多数人不可缺少的工具。人们已经看到，技术和产...

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半导体激光器与半导体器件原理

在半导体激光器中，如果高 效率半导体发光管的发光区域位于光学谐振器中，则可以获得激光输出。这种装置称为半导体激光器或注入激光器。半导...

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半导体器件与集成电路的发展

许多先进工业国家都非常重视集成电路工业的发展，集成电路的集成度以每年翻倍的速度增长。每片芯片上集成的256千字节的MOS随机存取存储器已...

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半导体器件的标记后缀

除四个基本部分外，有时还增加后缀以区分特征或进一步分类。晶体二极管、晶体管和电阻电容都是在同一个硅芯片上制造的，称为集成电路。在一...

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半导体器件的标记与含义4

德国、法国、意大利、荷兰、比利时和其他欧洲国家，以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰和其他东欧国家，大多采用国际电子联合会半导体分...

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半导体器件的标记与含义3

在美国，晶体管或其他半导体器件的命名是混乱的。美国电子工业协会的半导体分立器件的命名方法如下： a，B，C，D，D-不同等级的同一类型的设...

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半导体器件的标记与含义2

日本生产的半导体分立器件由五到七部分组成。一般只使用前五部分，每一部分的符号意义如下：。S-表示在JEIA注册的半导体分立器件。大于两位...

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半导体器件的标记与含义

半导体器件中有 效电极的数目用数字表示。用汉语拼音字母表来表示半导体器件的材料和极性，当二极管表示时，a-N锗材料，B-P锗材料，C-N型硅...

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半导体器件的类型与特性

半导体器件是指导电性介于导体和绝缘体之间的电子器件。它可以利用半导体材料的特殊电学特性来完成特定的功能，从而产生、控制、接收、转换...

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半导体器件的结构原理

双极晶体管由两种PN结构组成，称为发射结，另称为集电极结。在两个结之间的一层薄薄的半导体材料被称为基极区。连接在发射极结一端和集电极...

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半导体器件的应用与结构

在通信、雷达等军事装备中，微弱信号主要由高灵敏度、低噪声的半导体接 收机接收。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导体低噪声器件发展迅...

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半导体器件的材料、工艺与分类

半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓，用作整流、振荡器、发光器件、放大器、光度计和其他设备。除了一般晶体管外，还有一些特殊用途的...

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光敏电阻的检测与选用

当一个光源对准光 敏电阻的透光窗口时，万用表的指针应向右摆动较大，阻值应明显减小。该值越小，表示光阻性能越好。如果这个值很大，甚至无...

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常见的光敏电阻类型

可见光电阻器包括硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌光 敏电阻等，主要用于光电控制系统，如光电自动开关门、自动灯、路灯...

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