一站式电子元器件整合供应商
电容/电感/电阻解决方案专业提供商
-
07-22
2020
-
半导体器件的标记与含义4
德国、法国、意大利、荷兰、比利时和其他欧洲国家，以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰和其他东欧国家，大多采用国际电子联合会半导体分立器件模型命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，每个部分的符号和含义如下：。三个数字--代表通用半导体器件的注册序列号，一个字母加两个数字--代表专用半导体设备的注册序列号。
查看详情
-
07-22
2020
-
半导体器件的标记与含义3
在美国，晶体管或其他半导体器件的命名是混乱的。美国电子工业协会的半导体分立器件的命名方法如下： a，B，C，D，D-不同等级的同一类型的设备，例如：JAN2N3251A表示PNP硅高频低功率开关晶体管，Jan-军 用级，2-晶体管，N-EIA注册号，3251-EIA登记序号，A-2N3251A文件。
查看详情
-
07-21
2020
-
半导体器件的标记与含义2
日本生产的半导体分立器件由五到七部分组成。一般只使用前五部分，每一部分的符号意义如下：。S-表示在JEIA注册的半导体分立器件。大于两位数的整数-从“11”开始表示在JEIA注册的序列号；不同的公司可以对性能相同的设备使用相同的序列号；数字越大，产品越多。
查看详情
-
07-21
2020
-
半导体器件的标记与含义
半导体器件中有 效电极的数目用数字表示。用汉语拼音字母表来表示半导体器件的材料和极性，当二极管表示时，a-N锗材料，B-P锗材料，C-N型硅材料，D-P型硅材料，当晶体管表示时，A-PNP锗材料，B-NPN锗材料，C-PNP型硅材料和D-NPN型硅材料。用汉语拼音字母来表示半导体器件的类型。T-半导体晶闸管(≤gt3mhz)，Y体效应器件，B-雪崩管，J级恢复晶体管，CS场效应晶体管，BT半导体专用器件，FH复合管，PIN-PIN管，JG-激光器件.。
查看详情
-
07-21
2020
-
半导体器件的类型与特性
半导体器件是指导电性介于导体和绝缘体之间的电子器件。它可以利用半导体材料的特殊电学特性来完成特定的功能，从而产生、控制、接收、转换信号、放大信号和转换能 量。由于横向电场的影响，场效应晶体管依靠一层薄的半导体来改变电阻，从而具有放大信号的功能。薄层半导体两端的两个电极称为源和漏极。
查看详情
-
07-21
2020
-
半导体器件的结构原理
双极晶体管由两种PN结构组成，称为发射结，另称为集电极结。在两个结之间的一层薄薄的半导体材料被称为基极区。连接在发射极结一端和集电极结一端的两个电极分别称为发射极和集电极。在实际应用中，发射极结为正向偏置，集电极为反向偏置。这些少数载流子通过扩散迁移到集电极结形成集电极电流。集电极电流与基极电流之比称为共发射极电流放大系数。双极晶体管可分为NPN型和PNP型。
查看详情
-
07-21
2020
-
半导体器件的应用与结构
在通信、雷达等军事装备中，微弱信号主要由高灵敏度、低噪声的半导体接 收机接收。随着微波通信技术的迅速发展，微波半导体低噪声器件发展迅速，工作频率不断提高，噪声系数不断降低，微波半导体器件以其优良的性能、体积小、重量轻、功耗低等优点在防空、反导、电子战等系统中得到了广泛的应用。因此，PN结具有单向导电性。此外，PN结的偶极层还起着电容的作用，它随外加电压的变化而变化。
查看详情
-
07-21
2020
-
半导体器件的材料、工艺与分类
半导体器件的半导体材料是硅、锗或砷化镓，用作整流、振荡器、发光器件、放大器、光度计和其他设备。除了一般晶体管外，还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管，磁感晶体管，场效应传感器等，他们不仅可以将一些环境因素的信息转换成电，同时还具有一般晶体管的放大作用，可以获得更大的输出信号。
查看详情
-
07-20
2020
-
光敏电阻的检测与选用
当一个光源对准光 敏电阻的透光窗口时，万用表的指针应向右摆动较大，阻值应明显减小。该值越小，表示光阻性能越好。如果这个值很大，甚至无穷大，说明光 敏电阻内部的开路已经损坏，可以不使用了。光 敏电阻的透光窗对准入射光，用小黑纸在光 敏电阻遮光窗的上部晃动，使其可以断续受光。此时万用表指针应随着黑纸的晃动左右摆动。因此，在选择光阻时，应考虑光阻材料和光源类型，以获得满意的结果。
查看详情
-
07-20
2020
-
常见的光敏电阻类型
可见光电阻器包括硒、硫化镉、硒化镉、碲化镉、砷化镓、硅、锗、硫化锌光 敏电阻等，主要用于光电控制系统，如光电自动开关门、自动灯、路灯等照明系统、自动供水和自动止水装置、机械自动保护装置和"位置探测器"、超薄件测厚仪、摄 像机自动曝光装置、光电计数器、烟雾报 警、光电跟 踪系统等。
查看详情
全国服务热线
13312959360
新闻中心
微信公众号
手机版网站