半导体材料是一种具有半导体特性的电子材料，用于制备半导体器件。重要的导电机理是由电子和空穴载流子实现的，因此存在N和P类型。通常具有一定的带隙，其电性能容易受到外界条件的影响。通过添加特定的杂质制备不同的导电材料。杂质对材料的性能有很大的影响，大部分是晶体材料，半导体器件对材料的晶体完整性有很高的要求。

半导体材料是一种具有半导体特性的电子材料，用于制备半导体器件。重要的导电机理是由电子和空穴载流子实现的，因此存在N和P类型。半导体材料通常具有一定的带隙，其电性能容易受到外界条件(如光、温度等)的影响。通过添加特定的杂质制备不同的导电材料。杂质(特别是快速扩散杂质和深能级杂质)对材料的性能有很大的影响。

因此，半导体材料应具有较高的纯度，这不仅要求用于生产的原料具有相当高的纯度，而且还需要超清洁的生产环境，以尽量减少生产过程中的杂质污染。半导体材料大部分是晶体材料，半导体器件对材料的晶体完整性有很高的要求。此外，对材料各项电气参数的均匀性也有严格的要求。

半导体材料是一种在室温下导电介于导电材料和绝缘材料之间的功能材料，其电导率由电子和空穴载流子实现，室温下的电阻一般在10-5~107欧姆之间，通常电阻随温度的升高而增 大，如果加入或辐照活 性杂质，电阻可改变几个数量级。

此外，半导体材料的导电性对外界条件的变化(如热、光、电、磁等因素)非常敏 感，根据这些条件，可以制造各种敏 感元件以进行信息转换。

半导体材料的特征参数是带隙、电阻、载流子迁移率、非平衡载流子寿命和位错密度。带隙由半导体的电子态和原子构型决定，它反映了组成材料的原子中价电子从束缚态激发到自 由态所需的能 量。电阻和载流子迁移率反映了材料的电导率。

非平衡载流子寿命反映了半导体材料在外界作用下(如光或电场)内载流子从非平衡态向平衡态转变的弛豫特性。位错是晶体中常见的缺 陷之一。位错密度用来测量半导体单晶材料的晶格完整性程度，但对于非晶态半导体材料则不存在这种参数。

半导体材料的特性参数不仅可以反映半导体材料与其他非半导体材料的差异，而且可以反映不同半导体材料甚至同一材料在不同条件下的特性差异。

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