半导体器件是指导电性介于导体和绝缘体之间的电子器件。它可以利用半导体材料的特殊电学特性来完成特定的功能，从而产生、控制、接收、转换信号、放大信号和转换能 量。由于横向电场的影响，场效应晶体管依靠一层薄的半导体来改变电阻，从而具有放大信号的功能。薄层半导体两端的两个电极称为源和漏极。

半导体器件是指导电性介于导体和绝缘体之间的电子器件。它可以利用半导体材料的特殊电学特性来完成特定的功能，从而产生、控制、接收、转换信号、放大信号和转换能 量。

由于横向电场的影响，场效应晶体管依靠一层薄的半导体来改变电阻(简称场效应)，从而具有放大信号的功能。薄层半导体两端的两个电极称为源和漏极。控制横向电场的电极称为栅极。

根据栅的结构，场效应晶体管可分为三种类型：

1结场效应晶体管(PN结构栅)

2 MOS场效应晶体管(金属氧化物半导体栅，见金属绝缘体半导体系统)

3 MES场效应晶体管(栅由金属和半导体触头组成)，其中MOS场效应管的应用广泛。特别是在大规模集成电路的发展中，MOS大规模集成电路具有独特的优势。MES场效应晶体管一般用于GaAs微波晶体管中。

在MOS器件的基础上，研制了一种电荷耦合器件(CCD)，它以存储在半导体表面附近的电荷为信息，控制表面附近的势阱，将电荷转移到接近表面的某一方向。这种器件通常可用作延迟线、存储器等，配备光电二极管阵列，可用作摄 像管。

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