薄膜电阻是用真空沉积法在氧化铝陶瓷基板之上形成铬镍薄膜，厚度通常只有0.1um，仅为厚膜电阻的千分之一，然后用光刻法将薄膜蚀刻成一定形状。因此，可以很好地控制薄膜电容器的性能。薄膜电阻器对温度敏感的沉积层有一个最佳厚度，但最佳膜厚度产生的电阻值严重限制了可能的电阻值的范围。此外，改变最佳膜厚会严重影响TCR。TCR是一个不能忽略的小参数。普通1%电阻器的TCR系数在几千ppm/°C的范围之内。

薄膜电阻是用真空沉积法在氧化铝陶瓷基板之上形成铬镍薄膜，厚度通常只有0.1um，仅为厚膜电阻的千分之一，然后用光刻法将薄膜蚀刻成一定形状。光刻工艺是如此精确，可以形成复杂的形状。因此，可以很好地控制薄膜电容器的性能。

薄膜电阻器对温度敏感的沉积层有一个最佳厚度，但最佳膜厚度产生的电阻值严重限制了可能的电阻值的范围。因此，可以通过使用不同的沉积层厚度来实现不同的电阻范围。薄膜电阻的稳定性受温度升高的影响。薄膜电阻稳定性的老化过程是实现不同电阻值所需的薄膜厚度的函数，因此在整个电阻范围之内是可变的。这种化学/机械时效还包括电阻合金的高温氧化。此外，改变最佳膜厚会严重影响TCR。由于较薄的沉积层更容易氧化，高电阻率薄膜具有非常高的电阻衰减率。

TCR是一个不能忽略的小参数。它的单位是ppm/°C（每°C温度变化引起的电阻值变化是百万分之几）。普通1%电阻器的TCR系数在几千ppm/°C的范围之内。总电阻值的变化与电阻器的材料、实际功率和物理尺寸有关。厚膜电阻取决于玻璃基体之中颗粒间的接触而形成的电阻。这些触点形成一个完整的电阻，但操作中的热应力中断了触点。在大多数情况之下，厚膜电阻不会平行打开，但是电阻值会随着时间和温度的增加而继续增大。因此，厚膜电阻器比其他电阻器技术不太稳定（时间、温度和功率）。

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