薄膜电阻是通过真空沉积在氧化铝陶瓷基板上形成的铬镍膜，通常只有0.1um厚，仅为厚膜电阻的千分之一，然后通过光刻工艺将该膜蚀刻成一定形状。因此，可以很好地控制薄膜电容器的性能。薄膜电阻具有温度敏感沉积层的最佳厚度，但最佳薄膜厚度产生的电阻值严重限制了可能的电阻值范围。此外，改变最佳膜厚将严重影响TCR。TCR是一个不容忽视的小参数。1%普通电阻的TCR系数在几千ppm/°C的范围内。

薄膜电阻是通过真空沉积在氧化铝陶瓷基板上形成的铬镍膜，通常只有0.1um厚，仅为厚膜电阻的千分之一，然后通过光刻工艺将该膜蚀刻成一定形状。光刻工艺非常精确，可以形成复杂形状。因此，可以很好地控制薄膜电容器的性能

薄膜电阻具有温度敏感沉积层的最佳厚度，但最佳薄膜厚度产生的电阻值严重限制了可能的电阻值范围。因此，可以通过使用不同的沉积层厚度来实现不同的电阻范围。薄膜电阻的稳定性受温升的影响。膜电阻稳定性的老化过程随达到不同电阻值所需的膜厚度而变化，因此在整个电阻范围内是可变的。这种化学/机械老化还包括电阻合金的高温氧化。此外，改变最佳膜厚将严重影响TCR。由于较薄的沉积层更容易氧化，高电阻薄膜的电阻衰减率非常高

TCR是一个不容忽视的小参数。其单位为ppm/℃（每℃温度变化引起的电阻值变化为百万分之几）。1%普通电阻的TCR系数在几千ppm/°C的范围内。总电阻值的变化与电阻的材料、实际功率和物理尺寸有关。厚膜电阻取决于玻璃基质中颗粒之间的接触以形成电阻。这些触点构成一个完整的电阻，但运行中的热应变会中断触点。在大多数情况下，厚膜电阻器不会并联开路，但电阻值会随着时间和温度而继续增加。因此，与其他电阻技术相比，厚膜电阻的稳定性较差（时间、温度和功率）。

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