薄膜电阻器是在氧化铝陶瓷基片上通过真空沉积形成的铬镍薄膜，通常只有0.1um厚，只有厚膜电阻的千分之一，然后通过光刻将薄膜刻蚀成一定的形状。因此，可以很好地控制薄膜电容器的性能。薄膜电阻器具有最佳的温敏沉积层厚度，但最佳薄膜厚度产生的电阻值严重限制了可能的电阻值范围。此外，改变最佳膜厚会严重影响TCR。TCR是一个不可忽视的小参数。1%普通电阻的TCR系数为几千ppm/°C的范围内。

薄膜电阻器是在氧化铝陶瓷基片上通过真空沉积形成的铬镍薄膜，通常只有0.1um厚，只有厚膜电阻的千分之一，然后通过光刻将薄膜刻蚀成一定的形状。光刻工艺非常精确，可以形成复杂的形状。因此，可以很好地控制薄膜电容器的性能

薄膜电阻器具有最佳的温敏沉积层厚度，但最佳薄膜厚度产生的电阻值严重限制了可能的电阻值范围。因此，通过使用不同的沉积厚度可以获得不同的电阻范围。薄膜电阻的稳定性受温度升高的影响。薄膜电阻稳定性的老化过程随着达到不同电阻值所需的薄膜厚度而变化，因此在整个电阻范围内是可变的。这种化学/机械老化还包括电阻合金的高温氧化。此外，改变最佳膜厚会严重影响TCR。因为越薄的沉积层越容易氧化，高阻薄膜的电阻衰减率很高

TCR是一个不可忽视的小参数。其单位为ppm/℃（每℃温度变化引起的电阻变化是百万分之几）1%普通电阻的TCR系数为几千ppm/°C的范围内。总电阻值的变化和电阻的材料、实际功率与物理尺寸有关。厚膜电阻依靠玻璃基体中颗粒之间的接触形成电阻。这些触点形成一个完整的电阻，但是运行中的热应变会中断触点。在大多数情况下，厚膜电阻不会并联开路，但电阻值会随着时间和温度不断增加。因此，与其他电阻技术相比，厚膜电阻的稳定性较差（时间、温度和功率）

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