陶瓷介质微调电容器具有很大的电荷、体积小，可分为圆管和圆板。云母和聚苯乙烯介质通常采用弹簧式结构，结构简单，但稳定性差。绕组陶瓷介质微调电容器通过去除铜线外电极来改变电容，只能减小容量，不适合反复调试。银层通过真空蒸发或煅烧直接沉积在云母片上。由于消除了气隙，温度系数大大降低，电容稳定性比箔片高。广泛应用于高频电器中，可作为标准电容器使用。

陶瓷介质微调电容器具有很大的电荷、体积小，可分为圆管和圆板。云母和聚苯乙烯介质通常采用弹簧式结构，结构简单，但稳定性差。绕组陶瓷介质微调电容器通过去除铜线外电极来改变电容，只能减小容量，不适合反复调试。

陶瓷电容器被挤压成具有高介电常数的电容器陶瓷(钛酸钡和氧化钛)为介质的管、圆盘或圆片，以陶瓷镀银为电极，可分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质在高稳定性振荡电路中，正电容温度系数小的电容器被用作环路电容器和衬垫电容器。

低频陶瓷介质电容只限于工作频率低的电路中的旁路或DC隔离，或者在稳定性和损耗要求不高的情况下包括高频。这种电容器不适用于脉冲电路，因为它们容易被脉冲电压损坏。

高频陶瓷介质电容器适用于高频电路中的云母电容器。从结构上来说，它们可以分为锡箔和银。银层通过真空蒸发或煅烧直接沉积在云母片上。由于消除了气隙，温度系数大大降低，电容稳定性比箔片高。频率特性好，充电值高，温度系数小，容量大，不算大容量。广泛应用于高频电器中，可作为标准电容器使用。

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