陶瓷介电微调电容器具有电荷大、体积小的特点，可分为圆管和圆片。云母和聚苯乙烯介质通常采用弹簧式东，结构简单，但稳定性差。绕线陶瓷介电微调电容器是除去铜线<外电极>来改变电容，容量只能变小，不适合反复调试的场合使用。银层直接通过真空蒸发或煅烧沉积在云母片上。由于消|除了气隙，温度系数大大降低，电容稳定性比箔片高。它广泛应用于高频电器中，可作为标准电容器使用。

陶瓷介电微调电容器具有电荷大、体积小的特点，可分为圆管和圆片。云母和聚苯乙烯介质通常采用弹簧式东，结构简单，但稳定性差。绕线陶瓷介电微调电容器是除去铜线<外电极>来改变电容，容量只能变小，不适合反复调试的场合使用。

陶瓷电容器被挤压成以高介电常数电容器陶瓷(钛酸钡和氧化钛)为介质的管、盘或盘，陶瓷上镀银为电极，可分为高频陶瓷介质和低频陶瓷介质两种，在高稳定性振荡电路中采用小正电容温度系数的电容器作为回路电容器和垫片电容器。

低频陶瓷介电电容器仅|限于在工作频率低的电路中旁路或直流隔离，或当稳定性和损耗要求不高时，包括高频。这种电容器不适用于脉冲电路，因为它们很容易被脉冲电压破坏。

高频陶瓷介电电容器适用于高频电路云母电容器。就结构而言，它们可分为箔和银。银层直接通过真空蒸发或煅烧沉积在云母片上。由于消|除了气隙，温度系数大大降低，电容稳定性比箔片高。频率特性好，电荷值高，温度系数小，容量大，不能大容量。它广泛应用于高频电器中，可作为标准电容器使用。

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