瓷介电容器结构以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面涂上金属(银)膜，高温烧结后作为电极制成。瓷介电容器分为1类电介质(NPO.CCG)、2类电介质(X7R.2X1)和3类电介质(Y5V.2F4)。

特点1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高的优点。最大容量不超过1000pf，常用的系列有CC1.CC2.CC18A.CC11.CCG。三种瓷介电容器具有介电系数高、容量大(最大可达0.47μF)、体积小、损耗和绝缘性能差于一类的特点。

瓷介电容器结构以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面涂上金属(银)膜，高温烧结后作为电极制成。瓷介电容器分为1类电介质、2类电介质和3类电介质。特点1类瓷介电容器具有温度系数小、稳定性高、损耗低、耐压高的优点。三种瓷介电容器具有介电系数高、容量大、体积小、损耗和绝缘性能差于一类的特点。一般用于中高频电路。常用型号有CB10.CB11.CB14~16(精密型).CB24.CB25.CB80(高压型).CB40等系列。

1类电容主要用于高频电路。2.3类广泛应用于中低频电路中，用于隔直、耦合、旁路、滤波等电容器。常用的有三个系列:CT1.CT2.CT3。

结构聚酯电容器是以极性聚酯薄膜为介质，具有正温度系数(即温度升高时电容量增大)的无极性电容器。优点是耐高温、耐高压、耐潮湿、价格低廉。一般用于中低频电路。CL11.CL21等常用型号。

聚苯乙烯电容器(CB)有两种结构:箔式和金属化。其优点是箔式绝缘电阻大，介质损耗小，容量稳定，精度高，但体积大，耐热性差；金属化防潮性和稳定性好于箔式绝缘电阻低，高频特性差。

一般用于中高频电路。常用型号有CB10.CB11(非密封箔).CB14~16(精密型).CB24.CB25(非密封金属化).CB80(高压型).CB40(密封金属化)等系列。

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