陶瓷片式电容器具有良好的高频特性，但最大电容只能为0.1 uF。片式陶瓷电容器也属于陶瓷电容器，是一个统称。陶瓷片式电容器是以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面镀上一层金属膜，然后经高温烧结而成的电容器。在高稳定的振荡电路之中，正电容温度系数小的电容器用作回路电容器和填充电容器。这种电容器不应该用在脉冲电路之中，因为它们很容易被脉冲电压刺穿。

整体电容器相对稳定，温度漂移系数小，电容值可达1uF，使用寿命长，等效直流电阻小，价格稍贵。

陶瓷片式电容器具有良好的高频特性，但最大电容只能为0.1 uF。片式陶瓷电容器也属于陶瓷电容器，是一个统称。陶瓷片式电容器是以陶瓷材料为介质，在陶瓷表面镀上一层金属膜，然后经高温烧结而成的电容器。常用于高稳定性振荡电路之中，作为电路、旁路电容器和焊盘电容器。在高稳定的振荡电路之中，正电容温度系数小的电容器用作回路电容器和填充电容器。低频陶瓷电容器仅在工作频率较低的电路之中，或对稳定性和损耗要求较低的电路（包括高频）之中用作旁路或直流隔离。这种电容器不应该用在脉冲电路之中，因为它们很容易被脉冲电压刺穿。

陶瓷电容器是用高介电常数电容陶瓷（钛酸钡和氧化钛），挤压成圆管、盘状或圆盘状为介质，用烧结熔渗法在陶瓷为电极之上镀银而成。它分为两种：高频瓷介和低频瓷介。在高稳定的振荡电路之中，正电容温度系数小的电容器用作回路电容器和填充电容器。低频陶瓷电容器仅在工作频率较低的电路之中，或对稳定性和损耗要求较低的电路（包括高频）之中用作旁路或直流隔离。这种电容器不应该用在脉冲电路之中，因为它们很容易被脉冲电压刺穿。

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