由于原料丰富，结构简单，价 格低廉，范围宽，损耗小，电容温度系数可根据要求在大范围内调节。II类陶瓷电容器过去被称为低频陶瓷电容器，它是指以铁电陶瓷为介质的，也称为铁电陶瓷电容器。这种比容量大，随温度变化非线性，损耗大，常用于旁路、耦合等电路中，对损耗和稳定性要求较低。

由于原料丰富，结构简单，价 格低廉，范围宽(通常有几个PF到数百个μF)，损耗小，温度系数可根据要求在大范围内调节。

陶瓷电容器种类繁多，陶瓷电容器的形状和尺寸差别很大，从0402(约1×0.5mm)封装片式到大型功率陶瓷电容器。根据介电材料的特点，可分为Ⅰ型、II型和半导体陶瓷电容器；根据无功功率可分为低功率和大功率陶瓷电容器；按工作电压可分为低压和高压陶瓷电容器；按结构形状可分为晶片型、管状、鼓形、瓶形、圆筒形、板状、叠层、单石、块、柱型、穿孔型等。

陶瓷电容器按介电类型可分为两类，即I类陶瓷电容器和II类陶瓷电容器。

第 一类陶瓷电容器，以前称为高频陶瓷电容器，是指由低介电损耗、高绝缘电阻和介电常数随温度线性变化的陶瓷介质制成的电容器。它特别适用于谐振电路和其他需要低损耗、稳定电容或温度补偿的电路。

II类陶瓷电容器过去被称为低频陶瓷电容器，它是指以铁电陶瓷为介质的电容器，也称为铁电陶瓷电容器。这种比容量大，随温度变化非线性，损耗大，常用于旁路、耦合等电路中，对损耗和稳定性要求较低。

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