近年来，随着电子技术的发展，电路的工作电压和电流越来越低，低电压运行有利于降低电路的整体功耗，但也给电源的设计提出了新的问题。为了使电路正常工作，必须对同步整流器进行控制，这是用同步整流器代替二极管的基本要求，因此，必须根据二极管的工作规律选择合适的驱动方法，由PWM控制信号形成驱动信号，决定开关电路的不同状态。

近年来，随着电子技术的发展，电路的工作电压和电流越来越低，低电压运行有利于降低电路的整体功耗，但也给电源的设计提出了新的问题

开关电源的损耗主要由三部分组成：电源开关损耗、高频变压器损耗和输出整流器损耗在低压大电流输出时，整流二极管的导通压降较大，而输出整流管的损耗尤为突出，快恢复二极管（FRD）或超快恢复二极管（SRD）即使采用低电压降的肖特基二极管（SBD）也能达到10~12V，产生约06V的电压降，从而增加整流损耗，降低功率效率

传统的二极管整流电路已不能满足高效率、小体积的低压大电流开关电源的要求，成为提高DC/DC变换器效率的瓶颈

在功率变换领域，mosfet被用作低输出直流电压隔离变换器的整流器，这些器件因其导通损耗小、效率高而得到广泛应用；

为了使电路正常工作，必须对同步整流器进行控制，这是用同步整流器代替二极管的基本要求，因此，必须根据二极管的工作规律选择合适的驱动方法，由PWM控制信号形成驱动信号，决定开关电路的不同状态。

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