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多层陶瓷电容的性能参数

返回列表来源:新晨阳 发布日期: 2020.07.08 浏览:0

实际电容与标称电容之间的允许偏差范围为:J±0.05,K±0.1,M±0.2,密电容器的允许误差小,电解电容器的允许误差大,误差等级不同,常用电容器的精度等级与电阻器相同,字母D-±0.005 F-±0.01 G-0.02 J-±0.05 K-0.1 M-0.2。这些损耗主要来自介电损耗和金属损耗。通常用损失角正切值表示。磨损的标准配方是使用百分比,如COG要求。

多层陶瓷电容的性能参数-电容知识-新晨阳电子

(1)容量和误差:实际电容与标称电容之间的允许偏差范围为:J±0.05,K±0.1,M±0.2,精 密电容器的允许误差小,电解电容器的允许误差大,误差等级不同,常用电容器的精度等级与电阻器相同,字母D-±0.005 F-±0.01 G-0.02 J-±0.05 K-0.1 M-0.2。

(2)额定工作电压:电容器在电路中能长时间稳定可靠地工作,大直流电压也称为耐压。对于结构、介质和容量相同的器件,电压越高,体积越大。

(3)温度系数:在一定温度范围内,每一温度变化1℃,电容相对变化,温度系数越小,越好。

(4)绝缘电阻(IR):用于表示漏电流。一般小容量电容器,绝缘电阻很大,以数百兆或千兆欧姆计。电解电容器的绝缘电阻一般较小。相对来说,绝缘电阻越大,越好,泄漏也越小。一般C0G级"1000ΩF,X7R和Y5V级"500ΩF"。

(5)损耗(DF):电容器在电场作用下加热所消耗的能 量。 这些损耗主要来自介电损耗和金属损耗。 通常用损失角正切值表示。 磨损的标准配方:使用百分比,例如:COG要求。



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