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因为电容结构不同,所以差异很大。铝电解的ESR值一般在几百到几十毫欧之间,钽电容器介于铝电解和陶瓷片式电容器之间。与电容相关的参数有很多,但设计中重要的参数是C和ESR。我们经常使用三种电容器:铝电解、陶瓷和钽电容器。所以铝电解不要离热源太近。而且性能差的是z5u/Y5V材料介电常数大,电容可达几十微米。然而,这种材料受到温度和DC偏置的严重影响。
因为电容结构不同,所以差异很大。铝电解的ESR值一般在几百到几十毫欧之间,钽电容器介于铝电解和陶瓷片式电容器之间。与电容相关的参数有很多,但设计中重要的参数是C和ESR。
我们经常使用三种电容器:铝电解、陶瓷和钽电容器。铝电容器是由铝箔槽氧化,卷绕绝缘层,浸入电解液制成的。它的原理是化学原理,充放电靠化学反应。电容器对信号的响应速度受到电解质中带电离子运动速度的限制,在低频时,(1m)电渣重熔通常采用铝电阻和电解质等效电阻之和,数值较大。铝电容器的电解液会逐渐蒸发,导致容量下降甚至失效,蒸发速度会随着温度的升高而加快。温度每上升10度,寿命就会减半。如果电容器在27℃的室温下使用10000小时,在57℃下只能使用1250小时。所以铝电解不要离热源太近。
陶瓷电容通过物理反应储存电能,因此响应速度快,可用于G场合但由于介质不同,陶瓷电容器也表现出很大的差异。性能好的是c0g材料的电容,温度系数小,但是材料的介电常数小,电容值不能太大。而且性能差的是z5u/Y5V材料介电常数大,电容可达几十微米。然而,这种材料受到温度和DC偏置的严重影响(DC电压会引起材料极化,降低电容)