该芯片电阻器具有三层电极结构表面电极为银电极，中间电极镀镍，外部电极镀锡表面电极材料是金属导电的，第二保护涂层是非金属的边界区域中的电涂层非常薄或者不形成导电层，导致间隙或缝隙，尤其是当第二保护层的边界不规则时。基材二次保护与电极涂层的界面最弱，侵入过程如图1所示。外界的硫腐蚀性气体通过二次保护层与电极的结合处渗透到表面电极中，使表面电极上的银生成硫化物Ag2S、FlqT-Ag2S(高电阻)，使电阻失去导电性。

该芯片电阻器具有三层电极结构表面电极为银电极，中间电极镀镍，外部电极镀锡表面电极材料是金属导电的，第二保护涂层是非金属的边界区域中的电涂层非常薄或者不形成导电层，导致间隙或缝隙，尤其是当第二保护层的边界不规则时。基底二次保护和电极涂层之间的界面较弱。外界的硫腐蚀性气体通过二次保护层与电极的结合处渗透到表面电极中，使表面电极上的银生成硫化物Ag2S、FlqT-Ag2S(高电阻)，使电阻失去导电性。

为了避免电阻硫化，一个好的方法是使用抗硫化电阻(或全膜工艺电阻或插件电阻)通过扩大二次保护涂层的设计尺寸，在底电极上覆盖二次保护，使得镍层和锡层在电镀过程中很容易覆盖二次保护涂层，使得二次保护涂层相对薄弱的边缘直接暴露在空气环境中，从而提高了产品的抗硫化物能力。

设计思路是从封装和覆盖的角度出发。罗门公司s抗硫化设计，保护层采用导电树脂胶，覆盖表面电极并延伸至二级保护层。另一种抗硫化设计是从材料的角度，比如添加表面电极Ag/钯浆料中钯的含量从0.5%提高到10%以上。由于浆液中钯含量的增加，钯的稳定性提高了硫化性能。实验结果表明，该方法是有效的。

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