通常，光电阻被制成薄片结构来吸收更多的光能。当它被光照射时，半导体薄膜(光 敏层)H电子空xue对被激发参与导电，从而增强电路中的电流。为了获得高灵敏度，光阻电极通常采用梳状模式，这种梳状结构是在一定的掩模下将金、铟和其他金属蒸发到光导膜上形成的。一般光 敏电阻器的结构显示在右边。在一定的外加电压下，当有光照射时，流过的电流称为光电流，外加电压与光电流的比值称为亮电阻，通常用"100 LX"表示。

通常，光电阻被制成薄片结构来吸收更多的光能。当它被光照射时，半导体薄膜(光 敏层)

电子空xue对被激发参与导电，从而增强电路中的电流。为了获得高灵敏度，光阻电极通常采用梳状模式，这种梳状结构是在一定的掩模下将金、铟和其他金属蒸发到光导膜上形成的。一般光 敏电阻器的结构显示在右边。

光 敏电阻通常由光 敏层、玻璃基片(或树脂防潮膜)和电极组成。光 敏电阻由电路中的字母"R"或"RL"和"RG"表示。

耐光性通常由硫化镉(CdS)制成。它分为环氧树脂封装和金属封装，两者都属于铅型(DIP型)。根据陶瓷衬底的直径，环氧树脂封装的光电阻分为5mm、5mm、7mm、11 mm、12 mm、20 mm和25 mm。

根据光 敏电阻的光谱特性，可分为三种光 敏电阻：紫外电阻、红外光 敏电阻和可见光电阻。

光 敏电阻的主要参数光电流和亮电阻，是指在一定的外加电压下，当有光照射时，流过的电流称为光电流，外加电压与光电流的比值称为亮电阻，通常用"100 LX"表示。

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