从电路的角度来看，总有一个驱动源和一个被驱动负载。如果负载电容相对较大，驱动电路应该对电容充电、放电时，要完成信号跳变，当上升沿陡峭时，电流相对较大，因此驱动电流会吸收大量电源电流，因为电路中存在电感和电阻（尤其是芯片引脚上的电感会反弹）这个电流相对于正常情况其实是一种噪声，会影响前一级的正常工作。这就是耦合。

去耦电容充当电池，满足驱动电路电流的变化，避免相互耦合干扰。

旁路电容实际上是去耦的，但旁路电容一般指高频旁路，是针对高频开关噪声提高一种低阻抗的防漏电方式。高频旁路电容一般很小，根据谐振频率一般为0.1u，0.01u等，并且去耦电容通常很大，为10u或更大，这取决于电路中的分布参数和驱动电流的变化。

去耦和旁路都可以视为滤波。去耦电容相当于电池，避免了电流突然变化引起的电压下降，相当于滤除纹波。特定电容可以基于电流、期望的纹波大小、动作时间的大小要计算。去耦电容一般都很大，对于高频噪声基本无效。旁路电容是针对高频的，即利用电容的频率阻抗特性。电容通常可以被视为RLC级数模型。在特定频率下，会发生谐振，电容的阻抗等于其ESR。如果看电容器的频率阻抗曲线，会发现一般是V型曲线。具体曲线与电容器的电介质有关，因此在选择旁路电容器时应考虑电容器的电介质更安全的方法是组合几个电容器。

去耦电容在集成电路电源和地之间有两个作用：一方面是这个集成电路的储能电容，另一方面是旁路这个器件的高频噪声。数字电路中的典型去耦电容为0.1μF。该电容的分布电感典型值为5 μ h。1μF去耦电容的分布电感为5μH，其并联谐振频率约为7MHz，也就是说对10MHz以下的噪声有很好的去耦效果，对40MHz以上的噪声影响不大。1μF、10μF的电容和20MHz以上的并联谐振频率，去除高频噪声的效果更好。每10个集成电路应增加一个充放电电容或一个储能电容，可选值约为10 μ F。最好不要用电解电容器，它是用两层薄膜卷起来的这种卷起的结构在高频下表现为电感。使用钽电容或聚碳酸酯电容。去耦电容的选择不严格，可按C=1/f，即10MHz取0.1 fog, 100 MHz takes 0.01μF。

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