钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容随介质温度升高而变化率大、绝缘电阻降低等缺点。钛酸锶晶体的居里温度为-250℃. 室温下为立方钙钛矿结构。它是一个顺电体，没有自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化不大，Tg较低δ 多层陶瓷电容器是应用最广泛的芯片元件之一。它是片式单片电容器，由内电极材料和陶瓷体多层交替并联组成，整体烧制而成。

晶界层陶瓷电容器。在晶粒发育良好的钛酸钡半导体陶瓷表面包覆适量的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等）。在适当的温度和氧化条件下热处理后，涂层氧化物与钛酸钡形成低共晶相，沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷中，在晶界形成一层薄的固溶体绝缘层。这种薄的固溶体绝缘层的电阻率非常高（高达1012-1013）Ω· 虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体的表观介电常数高达2× 104至8× 由这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器），高压陶瓷电容器的陶瓷材料有两种：钛酸钡基和钛酸锶基。钛酸钡基陶瓷材料具有介电系数高、交流耐压性能好等优点，但也存在电容随介质温度升高而变化率大、绝缘电阻降低等缺点。钛酸锶晶体的居里温度为-250℃. 室温下为立方钙钛矿结构。它是一个顺电体，没有自发极化现象。在高压下，钛酸锶基陶瓷材料的介电系数变化不大，Tg较低δ 多层陶瓷电容器是应用广泛的芯片元件之一。它是片式单片电容器，由内电极材料和陶瓷体多层交替并联组成，整体烧制而成。它具有体积小、比电容高、精度高等特点。它可以安装在印刷电路板（PCB）和混合集成电路（HIC）基板上，可以有 效地减小电子信息终端产品（特别是便携式产品）的体积和重量，提高产品的可靠性。顺应了IT行业小型化、轻量化、高性能、多功能的发展方向。

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