钛酸钡基陶瓷材料具有高介电系数、良好的交流耐压性能，但随着介质温度的升高，电容的变化率也较大、绝缘电阻低等特点。钛酸锶晶体的居里温度为-250℃.室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电体，没有自发极化。在高压下，钛酸锶基陶瓷材料的介电常数变化很小，低Tg的δ多层陶瓷电容器是应用最广泛的片式元件之一。它是一种片式单片电容器，由内电极材料和陶瓷体交替并联，整体烧制而成。

晶界层陶瓷电容器是在晶粒发育良好的钛酸钡半导体陶瓷表面涂覆适量的金属氧化物（Such as copper oxide or Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等）在适当的温度和氧化条件下热处理后，涂层氧化物与钛酸钡形成低共晶相，沿开口和晶界迅速扩散到陶瓷中，在晶界形成一层薄薄的固溶体绝缘层。这种薄的固溶体绝缘层的电阻率非常高（高达1012-1013）Ω·虽然陶瓷颗粒还是半导体，但整个陶瓷体的表观介电常数高达2×104到8×由这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）高压陶瓷电容器的陶瓷材料有两种：钛酸钡基和钛酸锶基。钛酸钡基陶瓷材料具有高介电系数、良好的交流耐压性能，但随着介质温度的升高，电容的变化率也较大、绝缘电阻低等特点。

钛酸锶晶体的居里温度为-250℃.室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电体，没有自发极化。在高压下，钛酸锶基陶瓷材料的介电常数变化很小，低Tg的δ多层陶瓷电容器是应用广泛的片式元件之一。它是一种片式单片电容器，由内电极材料和陶瓷体交替并联，整体烧制而成。它具有体积小、比电容高、精度高等特点。它可以安装在印刷电路板上（PCB）和混合集成电路（HIC）在基板上，可以有效减少电子信息终端产品（尤其是便携产品）体积和重量增加，产品的可靠性提高。顺应it产业的小型化、轻量化、高性能、多功能的发展方向。

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