在没有外加电压时，PN结两侧载流子浓度差引起的扩散电流等于自生电场的漂移电流。当外加反向电压到一定的程度时，PN结空间电荷层电场强度达到载流子倍增产生的临界值，产生大量电子空xu e对及大的反向击穿电流，称为二极管击穿现象。而存在反向电压偏压时，外部电场和自建电场进一步加强，且在反向电压范围内形成反向饱和电流。

晶体二极管是由P型半导体和N型半导体形成的PN结，界面两侧形成空间电荷层并形成自生电场。当外界存在正电压偏压时，外加电场和自建电场的相互抑 制和消 除导致载流子的扩散电流和正向电流的增 大；在存在反向电压偏压时，外部电场和自建电场进一步加强，且在一定的反向电压范围内形成与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。

再外加反向电压到一定程度时，PN结空间电荷层的电场强度也达到了载流子倍增产生过临界值，大量电子空xu e对以及较大的反向击穿电流产生，称为二极管击穿现象。PN结的反向击穿分为齐纳击穿和雪崩击穿。

我们需要根据主要的参数来选择二极管，额定正向工作电流是指二极管连续工作很长时间时所允许的正向电流值。浪涌电流是允许流过的正向电流。它是瞬时电流，其值通常是额定正向工作电流的20倍左右。

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