表面层陶瓷电容器采用在钛酸钡等半导体陶瓷表面形成的薄绝缘层作为介质层，半导体陶瓷可视为介质的串联电路。利用铁电陶瓷的高介电常数，有效地减小了介电层的厚度。这是制备微型陶瓷电容器的有效方法。在晶粒发育良好的钛酸钡半导体陶瓷表面包覆适量的金属氧化物。在适当的温度和氧化条件下热处理后，涂层氧化物与钛酸钡形成低共晶相，沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷中，在晶界形成一层薄的固溶体绝缘层。

表面层陶瓷电容器采用在钛酸钡等半导体陶瓷表面形成的薄绝缘层作为介质层，半导体陶瓷可视为介质的串联电路。表面层陶瓷电容器的绝缘表面层厚度根据形成方式和条件在0.01到100之间波动μ M。利用铁电陶瓷的高介电常数，有效地减小了介电层的厚度。这是制备微型陶瓷电容器的有效方法。在晶粒发育良好的钛酸钡半导体陶瓷表面包覆适量的金属氧化物（如CuO或Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等）。在适当的温度和氧化条件下热处理后，涂层氧化物与钛酸钡形成低共晶相，沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷中，在晶界形成一层薄的固溶体绝缘层。这种薄的固溶体绝缘层的电阻率非常高（高达1012-1013）Ω· 虽然陶瓷颗粒仍然是半导体，但整个陶瓷体的表观介电常数高达2× 104至8× 104.用这种陶瓷制成的电容器被称为边界层陶瓷电容器（BL电容器），随着电子工业的迅速发展，迫切需要研制高击穿电压、小损耗、小体积、高可靠性的高压陶瓷电容器。近20年来，国内外研制的高压陶瓷电容器已广泛应用于电力系统、激光电源、录像机、彩电、电子显微镜、复印机、办公自动化设备、航空航天、导弹、航海等领域。

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