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两类陶瓷电容器的区别有多大

返回列表来源:新晨阳 发布日期: 2020.07.06 浏览:0

根据美国电工协会标准C0G或NP0和我们的标准CC系列陶瓷介质,这种介质稳定,温度系数很低,不会出现老化现象。"损耗因子不受电压,频率,温度和时间的影响。介电系数可达400,介电强度较高。这种介质非常适用于高频。),超 高频以及对电容和稳定性有严格要求的定时和振荡电路的工作环境,这类介质电容唯 一的缺点是电容不能做得很大。适用于工作环境中高温要求的耦合、旁路和过滤。通常,1206 S MD封装的电容可达10μF或更高。

两类陶瓷电容器的区别有多大

一 级陶瓷电容器

根据美国电工协会(EIA)标准C0G(是数字0,不是字母O,有些文献错误是COG)或NP0(数字0,不是字母O,有些文献错误是NPO)和我们的标准CC系列陶瓷介质(温度系数为0±30ppm/℃),这种介质稳定,温度系数很低,不会出现老化现象。"损耗因子不受电压,频率,温度和时间的影响。 介电系数可达400,介电强度较高。 这种介质非常适用于高频(尤其是工业高频感应加热,高频无线传输等用的高频电力电容器)。),超 高频以及对电容和稳定性有严格要求的定时和振荡电路的工作环境,这类介质电容唯 一的缺点是电容不能做得很大(因为介电系数比较小)。

第 二类陶瓷电容器

美国电工协会(EIA)标准X7R、X5R、中国标准CT系列等Ⅱ类稳定级陶瓷介电材料的温度系数为±0.15。这种介质的介电系数随温度变化很大,不适用于温度高的场合,如定时、振荡等,但由于其介电系数很大(可达1200),所以电容较大。适用于工作环境(X7R:-55~+125℃)中高温要求的耦合、旁路和过滤。通常,1206 S MD封装的电容可达10μF或更高。



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