MOS管是在集成电路中绝缘性场效应管，它具有良好的热稳定性、较低的噪声以及较高的输入阻抗，常常被用于开关或是放大电路，其制造工艺简且具有强辐射良好的开关特性等性能，因而应用广泛。

MOS管本身结构上是由金属-氧化物-半导体组成的，属于单极型晶体管，只有一种极性的载 流 子在接通时参与导电。为了达到控制漏极电流的效果，MOS管通过VGS的方式来控制感应电荷的数量，从而来改变导电沟道的状况。高品质mos管拥有越薄的膜的话，就会拥有越大的寄生电容，在控制大电流发的通断时，通常被要求数万甚至数百万的开关频率，为了达到高速的要求，需栅 极驱动的强大来支持。

N型MOS管常用于控制该电路是否接地，栅 极低电平截止，高电平则接通接地。P型MOS管则控制电源的接通和断开，与N型相反栅 极低电平接通，高电平则截止，他们都属于无触点的开关。如果将MOS置于放大区工作，则是用于反馈电路的设计，可用作电压/电流的反馈、镜像电流源等等。

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