第 二类是高介电常数的X7R介质。由于X7R是强介电体，它可以制造比NPO介质更大的电容器。随着温度、电压和时间的变化，其独特的性能并没有显著变化。它属于稳定的电容器材料。适用于对可靠性要求高的隔离、耦合、旁路、滤波电路和中高频电路。这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比电容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性比X7R差，容量和损耗对温度、电压等测试条件更为敏 感。

第 二类是高介电常数的X7R介质。由于X7R是强介电体，它可以制造比NPO介质更大的电容器。这种电容器的性能比较稳定。随着温度、电压和时间的变化，其独特的性能并没有显著变化。它属于稳定的电容器材料。适用于对可靠性要求高的隔离、耦合、旁路、滤波电路和中高频电路。

第三种是半导体型Y5V电介质。这种电容器具有较高的介电常数，常用于生产比电容较大、标称容量较高的大容量电容器产品。但其容量稳定性比X7R差，容量和损耗对温度、电压等测试条件更为敏 感。主要用于电子设备的振荡、耦合、滤波和旁路电路。

特点良好的温度和频率特性。一般来说，电容随频率的增加而减小。整体电容减小较小，容量相对稳定。

陶瓷电容器是由高介电常数的电容陶瓷（钛酸钡钛氧化物）挤压成管、盘或盘作为介质，用烧结浸渗法在陶瓷表面镀银作为电极。又分为高频和低频。在高稳定振荡电路中，采用正电容温度系数小的电容器作为回路电容器和垫电容器。低频陶瓷电容器仅 限于低频电路中的旁路或直流隔离，或在稳定性和损耗要求不高的地方。

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