第二种是高介电常数的X7R介质。因为X7R是一种强电介质，所以它可以制造比NPO电介质更大的电容器。随着温度、随着电压和时间的变化，其独特的性能并没有发生明显的变化。属于稳定的电容器材料。适合高可靠性要求的隔离、耦合、旁路、滤波电路和中高频电路。这种电容器具有较高的介电常数，通常用于产生较大的比电容、标称容量更高的大容量电容器产品。但其容量稳定性比X7R差，容量和损耗对温度影响大、电压和其他测试条件更敏感。

第二种是高介电常数的X7R介质。因为X7R是一种强电介质，所以它可以制造比NPO电介质更大的电容器。这种电容器的性能相对稳定。随着温度、随着电压和时间的变化，其独特的性能并没有发生明显的变化。属于稳定的电容器材料。适合高可靠性要求的隔离、耦合、旁路、滤波电路和中高频电路。

第三种是半导体Y5V电介质。这种电容器具有较高的介电常数，通常用于产生较大的比电容、标称容量更高的大容量电容器产品。但其容量稳定性比X7R差，容量和损耗对温度影响大、电压和其他测试条件更敏感。主要用于电子设备的振荡、耦合、滤波和旁路电路。

良好的温度和频率特性。一般来说，电容随着频率的增加而减小。整体电容略有下降，容量相对稳定。

由高介电常数的电容陶瓷制成（钛酸钡钛氧化物）挤压成管、以圆盘或圆片为介质，用烧结浸渗法在陶瓷表面镀银作为电极。分为高频和低频。在高稳定性振荡电路中，具有小的正电容温度系数的电容器被用作环路电容器和衬垫电容器。低频陶瓷电容仅限于低频电路中的旁路或DC隔离，或者不需要稳定性和损耗的场合。

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