因为电容器在高频时的介电常数低于低频时的介电常数,所以电容器的电容相应减小。不同类型的电容器有不同的高频使用。云母电容在250MHz以内;晶片的陶瓷介电电容为300MHz;管状陶瓷介质电容器为200MHz;圆盘陶瓷介质为3000MHz;80MHz小型纸电容器;介电纸的介电电容只有8MHz。RES对频率比较敏感,随着频率的增加而增加。
频率特性:电容器的电参数随电场频率变化的特性。因为电容器在高频时的介电常数低于低频时的介电常数,所以电容器的电容相应减小。另外,当电容器工作在高频时,电容器的分布参数如电极的电阻引线与电极间的电阻电极的电感和引线的电感都会影响电容器的性能损耗,并随频率的增加而增加。所有这些都限制了电容器的使用频率。不同类型的电容器有不同的高频使用。云母电容在250MHz以内;晶片的陶瓷介电电容为300MHz;管状陶瓷介质电容器为200MHz;圆盘陶瓷介质为3000MHz;80MHz小型纸电容器;介电纸的介电电容只有8MHz。
这里有几个值得注意的参数
TCC:X7R的温度和容量特性不同于X7R产品在室温附近的温度和容量特性。
ESR:等效串联电阻
ESL:等效串联电感
Q值:它是DF、ESR和ESL的综合在高频电路中引起了更多的关注。
在芯片的多层组件中,ESR(RES)主要由介电层电阻组成、内电极层电阻、接触表面电阻和端电极电阻,其中接触表面电阻包括端电极和内部电极之间的接触、不同端电极的电镀层之间的接触等。RES对频率比较敏感,随着频率的增加而增加。