涂层氧化物与BaTiO3 3形成共晶相，沿开口和晶界迅速扩散到陶瓷中，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍是半导体，但整个陶瓷体是绝缘体，表观介电常数为2× 104 ~ 8× 104。由这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器的陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃时，室温下为立方钙钛矿结构。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。

在晶粒发育良好的钛酸钡半导体陶瓷表面上，涂覆适当的金属氧化物（Such as copper oxide or Cu2O、MnO2、Bi2O3、Tl2O3等）并在适当温度氧化条件下进行热处理。涂层氧化物与BaTiO3 3形成共晶相，沿开口和晶界迅速扩散到陶瓷中，在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。薄的固溶体绝缘层具有高电阻率（高达1012-1013Ω·cm）虽然陶瓷颗粒仍是半导体，但整个陶瓷体是绝缘体，表观介电常数为2× 104 ~ 8× 104。由这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器（BL电容器）

高压陶瓷电容器的陶瓷材料有两种：钛酸钡和钛酸锶。钛酸钡基陶瓷具有高介电系数、良好的交流耐压性能，但也存在电容变化率随电介质温度升高而增加的事实、绝缘电阻降低等缺点。钛酸锶的居里温度为-250℃时，室温下为立方钙钛矿结构。它是顺电的，没有自发极化。在高压下，钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大，TGδ和电容的变化率较小。

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