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01-20 2021
变阻器的特性及其工作原理 “变阻器”是具有非线性伏安特性的电阻器件。主要用于电路过电压时的电压箝位,吸收剩余电流,保护敏 感器件。英文名为“电压依赖电阻器”,缩写为“VDR”或“varistor”。变阻器的电阻体材料是半导体,所以它是各种半导体电阻器。氧化锌压敏电阻器是目前应用广泛的压敏电阻器。当施加在变阻器上的电压超过其阈值时,流过它的电流就会激增,这相当于电阻小的电阻器。 查看详情
01-20 2021
简述MLCC的性质与特点 在居里温度以上几十度的温度范围内,这种材料的电阻率可提高4~10个数量级,即所谓的PTC效应。它主要由锰、钴、镍、铜等金属氧化物通过陶瓷工艺制成。NTC热敏的温度系数为-2~6.5(百分比)。可广泛应用于温度测量、温度补偿和浪涌电流抑 制。其原理是通过在陶瓷材料中引入La、Nb等微量稀 土元素,使陶瓷的电阻率降低到10Ω·cm以下,使其成为优良的半导体陶瓷材料。 查看详情
01-19 2021
PTC热敏电阻在应用上的优势 正温度系数热敏电阻简称PTC,它超过一定的温度,它是指材料在铁磁和顺磁之间发生变化的温度。当材料在居里温度以下变成铁磁体时,很难改变与材料有关的磁场。当温度高于居里温度时,材料成为参量,磁体的磁场随周围磁场的变化而变化。热敏电阻的主要特点是,热敏电阻的温度系数是金属的10×100倍以上,温度变化可达10-6℃,工作温度范围宽,室温装置适用于-55℃~315℃,目前高温器件的适宜温度高于2 0 0 0℃,低温器件适用于-2 0 0 0℃~5 5℃。 查看详情
01-19 2021
PTC热敏电阻的重要参数 额定零功耗电阻R25零功耗电阻是指在一定温度下测量PTC热敏阻值时,PTC热敏的功耗非常低,因此,由于其功耗引起的PTC热敏阻值变化很低,因此可以忽略。居里温度TC对PTC热敏电阻的应用具有重要意义。温度系数越高,PTC热敏电阻对温度变化的敏 感性越高。当击穿电压高于时,PTC热敏电阻将失效。 查看详情
01-19 2021
热敏电阻的材料特性及其应用 热敏电阻是以过渡金属氧化物为主要原料制成的半导体陶瓷元件。属于负温度系数热敏电阻的范畴。它具有电阻值随温度变化而变化的特点,即电阻值随温度的升高而减小。利用这一特性,在电源电路中串联时,可以有 效地抑 制启动浪涌电流,而在浪涌电流被抑 制后,利用电流的连续作用,功率型NTC热敏电阻的电阻值可以降到很小的程度。也可用于计量设备和晶体管电路中的温度测量和温度补偿。 查看详情
01-19 2021
正确选择共模电感的方法 应正确选择共模电感的额定电流,以防止电感饱和和线圈过热。通常要求工作电流不超过制造商的额定电流。如果电感被过度使用,感应器产生的温升不超过30摄氏度,电感在允许的应用范围内减小。一般来说,叠层电感比普通缠绕电感具有更强的抗干扰性和耐热性,而模绕电感具有较强的耐湿热性能,如风华FHW系列。贴片共模电感外壳封装的主要功能是存储和释放电能。顾名思义,贴片共模电感外壳的四点封装方式是相当完整的封装。 查看详情
01-14 2021
电容器的标记方法 目前国内大多数电容器都是按照以下图形直接在外壳上标记,如标称容量、电压电阻、误差等级等,称为"直接标记法"。有时单位符号也可以省略,这规定,如果容量用小数点表示,省略的单位应该是微的;是整数,单位是皮肤。例如,电容器的额定容量为"0.01μF",通常标记为".01μF"。例如,电容器标有字104 K,这意味着电容为0.1μF,误差为±10(百分比)。,例如,"339"表示33×101 pF,即3.3pF。可以看出,当第三位数为"9"电容时,其容量必 须为1~9.9pF。 查看详情
01-14 2021
去耦电容与滤波电容的功能 我们经常可以看到,电源和地面之间有一个去耦电容,它有三种功能:一是充当集成电路的储能电容;二是滤除装置产生的高频噪声,切断电源电路的传输通路;三是防止电源所携带的噪声干扰电路。用于耦合电路的陶瓷电容器被称为耦合电容器。LC谐振电路中使用的安 全表电容称为谐振电容,它是LC并联和串联谐振电路所需要的。储能是指必要时释放的电的储存。例如照相机闪光灯、加热设备等。 查看详情
01-14 2021
多层陶瓷电容器的性能 多层陶瓷电容器是片式元件中应用广泛的一类,它是将内电极材料和陶瓷坯件交替平行堆叠,共同烧成一个整体,又称片式单石电容器,具有体积小,比容量高,精度高等特点。它不仅封装简单,密封性好,而且能有 效隔离异性电极。在高频开关电源,计算机网络电源和移动通信设备中可以部分替代有 机薄膜电容器和电解电容器,可以大大提高高频开关电源的滤波性能和抗干扰性能。 查看详情
01-14 2021
半导体陶瓷电容器材料的特性 包覆的氧化物与BaTiO3形成共晶相,并沿开孔和晶界迅速扩散到陶瓷内部,在晶界形成一薄层固溶体绝缘层。虽然陶瓷颗粒仍然是半导体,但整个陶瓷体是一个表观介电常数为2×104~8×104的绝缘体。用这种陶瓷制成的电容器称为边界层陶瓷电容器。高压陶瓷电容器用陶瓷材料有两种:钛酸钡和钛酸锶。钛酸锶的居里温度为-250℃,室温下为立方钙钛矿结构。在高压下,钛酸锶基陶瓷的介电系数变化不大,TGδ和电容的变化率较小。 查看详情
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