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电容/电感/电阻解决方案专业提供商
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07-07
2020
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电感设计之温升损耗
电感损耗引起的温升主要由允许范围内的磁芯和线圈组成，其温度要求也包括这两个限 制。目前该公司广泛使用的微金属公司铁粉芯就存在上述问题。磁芯的温升与磁芯损耗直接相关。如前所述，磁芯损耗主要由磁滞损耗和涡流损耗组成。对于粉芯磁芯，由于磁性材料间绝缘阻抗大，涡流损耗几乎可以忽略。
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07-07
2020
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电感设计的参数要求及注意点
一般来说，无论设计如何，在大直流工作点，它不应小于初始渗 透率的0.3，否则会导致传感值的过大摆动，对控 制器产生负面影响，从核心制造商提供的图表或计算公式中可以得到。请注意，当输入瞬时电压为母线电压的一半时，当占空比为0.5时，Boost拓扑的大纹波电流发生。对于INV电感器，感应器的值通常取决于控 制器能否可靠地限 制电流。当然，如果峰值因子要求发生变化，我们需要进行相应的调整。
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07-07
2020
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电感材料与损耗的关系
滞后损耗仅与频率和交流磁通密度有关，与直流工作点的磁通密度关系不大。以下公式是计算某公司铁粉芯芯损耗的经验公式。开关频率B是开关周期中交流磁通密度的峰值，是开关周期交流磁通密度峰值的一半。它是一个常数，与材料有关，常用的材料常数如下表所示。对于BUCK和DC-DC电感，稳态时脉宽是稳定的，所以B值很容易确定。事实上，当瞬时交流磁通密度达到大值时，它被称为电流脉动，因此瞬时损耗也达到大值。
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07-06
2020
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电感设计之工艺实现考量
电感理论设计完成后，需要考虑工程实现问题。电感线圈有三种主要的绕组方式：循环式、往复 式和渐进式。在施加高压时，很容易因高压而导致导线绝缘失效。由于磁芯材料磁参数分布误差较大，在不同批次或不同厂家时，差异可能较大，通常为±0.15~0.25，因此在设计中应考虑参数偏差所引起的影响。
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07-06
2020
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COG陶瓷与NPO陶瓷电容的特点
C0G是I类陶瓷中温度稳定性好的陶瓷，其温度特性约为0，满足"负-正-零"的含义，因此C0G实际上与NPO相同，但两个标准表示也是NPO电容器。同样，U2J也对应MIL标准中的群码N 750。NPO电容器的电容和介电损耗随封装形式的变化而变化，大封装尺寸的频率特性优于小封装尺寸。7意味着电容可以在+125℃工作。电容器有多种，可分为非极性可变、非极性固定、极性等。
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07-06
2020
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II类陶瓷电容的参数特点
美国电工协会标准Z5U和Y5V以及我国CT系列低档产品模型等II级陶瓷介电材料。这种介质的介电系数随温度变化很大，不适用于温度系数较高的场合，如定时和振荡等。通常，1206表面贴装Z5U和Y5V介电电容器甚至可以达到100μF，这在某种意义上是取代钽电解电容器的有力竞争者。结果表明，NPO的电容温度特性很好，电容漂移不会随着正、负温度的变化而发生。
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07-06
2020
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两类陶瓷电容器的区别有多大
根据美国电工协会标准C0G或NP0和我们的标准CC系列陶瓷介质，这种介质稳定，温度系数很低，不会出现老化现象。"损耗因子不受电压，频率，温度和时间的影响。介电系数可达400，介电强度较高。这种介质非常适用于高频。），超 高频以及对电容和稳定性有严格要求的定时和振荡电路的工作环境，这类介质电容唯 一的缺点是电容不能做得很大。适用于工作环境中高温要求的耦合、旁路和过滤。通常，1206 S MD封装的电容可达10μF或更高。
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07-06
2020
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瓷片电容的特点及不同分类
由于原料丰富，结构简单，价 格低廉，范围宽，损耗小，电容温度系数可根据要求在大范围内调节。II类陶瓷电容器过去被称为低频陶瓷电容器，它是指以铁电陶瓷为介质的，也称为铁电陶瓷电容器。这种比容量大，随温度变化非线性，损耗大，常用于旁路、耦合等电路中，对损耗和稳定性要求较低。
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07-03
2020
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瓷片电容的来源
1900年，意大利L.隆巴迪发明了陶瓷介电电容器。上世纪30年代末，人们发现在陶瓷中加入钛酸盐可以使介电常数增加一倍，因此可以制造出更便宜的陶瓷介电电容器。陶瓷介电电容器主要使用陶瓷作为绝缘体，其基本结构是将陶瓷与内部电极重叠。由于电子产品特别是无铅、高介电系数的铅(铅)已从陶瓷电容器领域中撤出。与其他电容器相比，它们具有体积小、容量大、耐热性好、适合批量生产、价 格低廉等优点。
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07-03
2020
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瓷片电容的制造工艺
陶瓷片电容的结构，陶瓷介质一般为BaTiO 3，内电极导体一般为Ag或AgPd，多层陶瓷结构采用高温烧结。器件端面涂层(外电极)通常是烧结Ag/AgPd，然后制备Ni阻隔层，然后在Ni层上制备Sn或SnPb层供焊 接。近年来，也有采用Cu的MLCC产品。烧成温度一般在1300℃以上。高温保温时间过短，固相反应不完全彻 底，影响了整个铸 坯的组织，导致电性能的劣化，称为生烧。
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