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电容/电感/电阻解决方案专业提供商
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07-20
2020
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MLCC的材料和分类
I类是温度补偿类NP0电介质，其电气性能很稳定，基本上不会随着温度、电压、时间的改变而变化，属于稳定型、低损耗的电容材料类型，在对稳定性、可靠性要求较高的高频、电路之中比较适用。Y5V介质电容有着较高的介电常数，在生产比容较大、标称容量较高的大容量电容产品中多有使用，但它的容量稳定性相比X7R稍差，容量、损耗等参数对温度、电压等测试条件相对敏 感。
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07-17
2020
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陶瓷介质电容器的材料和分类
陶瓷介质电容器主要使用的是陶瓷的绝缘体材料，它的基本构造是将陶瓷与内部电极交相重叠制成。按照不同的标准还能分出不同的种类，依据其使用的介质材料特性，可分为Ⅰ型、Ⅱ型和半导体陶瓷电容器，依据功率大小还可分为低功率和高功率，依照其工作电压可以分为低压和高压，依照结构形状还可分为鼓形、瓶形、筒形、圆片形、叠片、独石、管型、板形、块状、支柱式、穿心式等等的类型。
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07-17
2020
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电感线圈的损耗与绕线方法
电感线圈的损耗是电流在导线电阻上产生的，导线中的电流一般包含工频或是直流成分的低频电流及开关频率的高频电流。循环式绕法表示导线一直沿同方向绕制，多层导线间互相叠压。缺点是绕线起始端与结束端间距很小，层间的压差比较大，在高压时应用容易因过高的压差而出现导线绝缘失效的情况。它的优点是导线间的压差比较小，绕线起始端与结束端有间距来分开，比较适合在高压中应用。
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07-17
2020
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光敏电阻的原理与半导体电导率
入射光消失后，将光子激发产生的电子空xue对组合起来，光阻电阻的电阻值恢复到原来的值。当光阻两端的电压加到金属电极上时，电流会通过，在一定波长的光照射下，电流会随着光强的增加而增大，从而实现光电转换。当光阻被照明时，价带中的电子吸收光子的能 量，然后跳到传导带成为自 由电子。电子空xue对的出现使电阻变小.光越强，电子空xue对越多，电阻越低。当光 敏电阻两端加电压时，流过光阻的电流随着光的增加而增 大。
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07-17
2020
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光敏电阻的性能因素
光刻胶的光电效应受温度的影响很大。一些光刻胶在低温下具有较高的光电灵敏度，而在高温下具有较低的灵敏度。当光刻胶受到脉冲光照射时，光电流在停止照射后不会立即为零，这是光刻胶的延迟特性。制造光刻胶的材料主要是金属硫化物、硒化物和碲化物半导体。薄光刻胶和梳状欧姆电极通常是通过涂层、喷涂和烧结在绝缘基底上制成的。引线采用透明镜连接包装在密封外壳内，避免受潮。
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07-17
2020
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光敏电阻的几个重要参数
外加电压与暗电流之比称为暗电阻，通常用“0lx”。光谱响应，又称光谱灵敏度，是指光刻胶在不同波长的单色光下的灵敏度。从光刻胶的光特性曲线可以看出，随着光强的增加，光刻胶的电阻开始迅速减小。在大多数情况下，这种特性是非线性的。在一定的光照条件下，光刻胶两端的电压和电流之间的关系称为伏安特性。超过大工作电压和大额定电流可能会对光刻胶造成永 久性损坏。
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07-17
2020
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光敏电阻的结构与原理
通常，光电阻被制成薄片结构来吸收更多的光能。当它被光照射时，半导体薄膜(光 敏层)H电子空xue对被激发参与导电，从而增强电路中的电流。为了获得高灵敏度，光阻电极通常采用梳状模式，这种梳状结构是在一定的掩模下将金、铟和其他金属蒸发到光导膜上形成的。一般光 敏电阻器的结构显示在右边。在一定的外加电压下，当有光照射时，流过的电流称为光电流，外加电压与光电流的比值称为亮电阻，通常用"100 LX"表示。
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07-16
2020
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光敏电阻的材料特性
硫化镉、硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋是常用的光阻或光电导管材料，这些材料的特点是在特定光波长照射下阻值迅速下降，这是因为光产生的载流子在外加电场的作用下发生传导、漂移运动，电子运行到电源的正极，空xue运行到电源的负极，从而阻值迅速下降。随着光强的增加，电阻值迅速减小，光电阻值可以小于1KΩ。光电阻一般用于光测量、光控制和光电转换。常用的光 敏电阻硫化镉光 敏电阻是由半导体材料制成的。
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07-16
2020
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压敏电阻的材料特性
由于主要部件的不同，金属氧化物压敏电阻器有时可以看到这些名称：ZNR、Zov、CNR、TNR等等。压敏电阻器与受保护的电气设备或元件并行使用。此时，压敏电阻器两端的电压迅速下降，大大低于保护设备和元件(如VS)的实际电压。常用的压敏电阻器有5D、7D、10D、14D、20D、32D等。压敏电阻器也具有防暴 力功能。
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07-16
2020
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压敏电阻的几项属性
常见的压敏电阻器是金属氧化物压敏电阻器，它包含由氧化锌颗粒和少量其他金属氧化物或聚合物组成的陶瓷块，夹在两个金属片之间。二极管效应将在粒子与相邻氧化物的交界处形成。由于有大量的杂乱粒子，它相当于大量的反向连接二极管。因此，压敏电阻的电流-电压特性曲线是高度非线性的：低压高阻，高压低阻。
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