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电容/电感/电阻解决方案专业提供商
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07-23
2020
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电解电容的电解质与金属箔
对于低压箔，不要求立方结构在结构中占很大 比例，但对于高压箔，要求这种结构占0.8至0.9以上。为了提高其比容，需要晶粒取向和杂质含量不规则的合金铝箔。工作电解质由三种成分组成。即溶剂，溶质和添加剂，如长期使用的电解质，成分为乙二醇，甘 油，硼酸，氨。这些新型电解质的配方原理是:1.两种溶剂混合。
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07-23
2020
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电解电容的结构与应用
电解电容器通常以金属箔为正极，金属箔绝缘氧化层为介质。铝电解的负极由浸在电解液中的薄纸/薄膜或电解质聚合物组成。钽电解电容器的负极通常使用二氧化锰。极地电解电容器通常在电源电路或中频低频电路中发挥滤波、解耦、信号耦合、时间常数设置、直流隔离等作用。电解电容器通常以金属箔为正极，金属箔绝缘氧化层(氧化铝/五氧化钽)为介质。非极性电解电容器通常用于扬声器分频器电路、TV等。
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07-23
2020
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容量较大的电解电容
金属箔是正极（铝或钽），靠近正极的氧化膜是电介质。阴极由导电材料、电解液和其他材料组成。由于电解液是阴极的主要组成部分，电解电容器因此得名。同时，电解电容器的正负极不应接错。单位体积的电容非常大，比其他类型的电容大几十到几百倍。由于电解电容器的组成材料是铝等普通工业材料，价 格上具有压倒性优势，制造电解电容器的设备也是普通工业设备，可以大规模生产，成本相对较低。
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07-22
2020
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摩尔定律与半导体器件的发展
摩尔定律的诞生是半导体技术史上的一个里程碑，它已成为信息技术发展的灯塔。计算机已成为大多数人不可缺少的工具。人们已经看到，技术和产品的创新大体上是按照它的节奏进行的。大多数先驱者成为先驱者，而落后者则容易被淘汰。专家指出，摩尔定律不仅适用于芯片技术；在不久的将来，它可能会延伸到无线技术、光学技术、传感器技术等领域，成为人们在未知领域探索和创新的指导思想。毫无疑问，摩尔定律对整个世界都有深远的影响。
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07-22
2020
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半导体激光器与半导体器件原理
在半导体激光器中，如果高 效率半导体发光管的发光区域位于光学谐振器中，则可以获得激光输出。这种装置称为半导体激光器或注入激光器。半导体激光器中早使用的PN结是均匀结，然后采用双异质结结构。双异质结激光的优点是可以将注入的少数载流子限 制在非常薄的有源区，由双异质结结构组成的光学导管也可以将产生的光子限 制在这一层的有源区。因此，双异质结激光器具有较低的阈值电流密度，可在室温下连续工作。
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07-22
2020
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半导体器件与集成电路的发展
许多先进工业国家都非常重视集成电路工业的发展，集成电路的集成度以每年翻倍的速度增长。每片芯片上集成的256千字节的MOS随机存取存储器已经成功开发，并正在开发1兆位MOS随机存取存储器。光电探测器的功能是将微弱光信号转换为电 信号，然后通过放大器放大电 信号，从而达到检测光信号的目的。此外，光电二极管和光电池也可用作光电检测元件。半导体发光二极管的结构是PN结。当电流向前时，注入的少数载流子通过复合发光。
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07-22
2020
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半导体器件的标记后缀
除四个基本部分外，有时还增加后缀以区分特征或进一步分类。晶体二极管、晶体管和电阻电容都是在同一个硅芯片上制造的，称为集成电路。在一块硅片上集成不到100个元件的芯片称为小规模集成电路，从1000个元件到1000个元件的称为中尺度集成电路，从1000个元件到100000个元件称为大规模集成电路，100000多个元件被称为超大规模集成电路。集成电路是目前发展计算机所必 需的基本电子设备。
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07-22
2020
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半导体器件的标记与含义4
德国、法国、意大利、荷兰、比利时和其他欧洲国家，以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰和其他东欧国家，大多采用国际电子联合会半导体分立器件模型命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，每个部分的符号和含义如下：。三个数字--代表通用半导体器件的注册序列号，一个字母加两个数字--代表专用半导体设备的注册序列号。
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07-22
2020
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半导体器件的标记与含义3
在美国，晶体管或其他半导体器件的命名是混乱的。美国电子工业协会的半导体分立器件的命名方法如下： a，B，C，D，D-不同等级的同一类型的设备，例如：JAN2N3251A表示PNP硅高频低功率开关晶体管，Jan-军 用级，2-晶体管，N-EIA注册号，3251-EIA登记序号，A-2N3251A文件。
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07-21
2020
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半导体器件的标记与含义2
日本生产的半导体分立器件由五到七部分组成。一般只使用前五部分，每一部分的符号意义如下：。S-表示在JEIA注册的半导体分立器件。大于两位数的整数-从“11”开始表示在JEIA注册的序列号；不同的公司可以对性能相同的设备使用相同的序列号；数字越大，产品越多。
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